участок "reverse recovery current"?
Понятие "моментально" - это не научно.
меня интересует участок чтоб сравнить. я понимаю что не научно, именно по этому я и захотел проверить в живую
Это не так просто делается. Возможно, стоит просто познакомиться с исследованиями и характеристиками от производителей?
Ну я хотел бы в живую попробовать. Это интереснее. Но если не получится то оставлю эту затею
Тогда это точто поможет: https://www.renesas.cn/cn/zh/document/apn/power-mosfet-application-note
спасибо) но уже завтра посмотрю. мозг уже спит
Наверное я вас задолбал уже, но сам не справлюсь( сегодня делал уже все по уму, пытался измерять время восстановления прям в работающей схеме. Но результат снова меня не впечатлил. Я не вижу разницы практически между GAN и Mоsfet. На этот раз скажите я сделал все максимально правильно? Я выбрал такое заполнение при котором еще не начинаются колебания и можно увидеть как диод восстанавливается.. Вот смотрю даташит на свой мосфет который тестировал и у него Reverse recovery time 132ns. По результатам измерения почти эта же цифра. Это наталкивает на мысль что таки опыт похож на правду
так он закрыт. я ж диод тестирую
У тебя на картинке нарисован генератор, от которого идёт 20 кГц
да но испытуемый у меня нижний транзистор. У генератора ток 200мА, думаю его достаточно для открытия
Для GaN (быстрых зарядов ёмкостей) используются драйвера с пиковым током 5..7А
ага, учту. но я до этого еще не дошел. застрял на обратной проводимости
Каки раньше - начнем с простого. Номиналы? Вы уверены,что ваш генератор уверенно откроет - закроет полевик? Поставьте резистор (50 ом) вместо всего вниз и посмотрите сигнал.
Да. На 50 Ом работает нормально. Транзистор тоже открывается, судя по фото мы видим как он переходит из закрытого состояния в открытое
И что тут видно? Вам нужно смотреть фронты.. Покажите задний фронт. Так чтобы пару клеток было на него
до меня сейчас дошло что я не вижу период работы диода. вы ток в ту сторону направляете чтобы диод восстанавливался?
Обсуждают сегодня